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集結(jié)號(hào)：NXQ4006光刻機(jī)的操作步驟及工作過(guò)程1.汞燈位置調(diào)節(jié)汞燈位置調(diào)節(jié)在換燈后或燈位置變動(dòng)時(shí)會(huì)改變照明的均勻性和照明的光強(qiáng)，這時(shí)調(diào)節(jié)三維燈座臺(tái)，使汞燈球體位于橢球鏡的焦點(diǎn)上，這時(shí)照明強(qiáng)度大，均勻性好。2.NXQ4006光刻機(jī)的開(kāi)機(jī)準(zhǔn)備（1）.供給機(jī)器的電源配電插座應(yīng)有220伏的供電能力，在總電源插頭插上后，機(jī)柜已通電。（2）.開(kāi)啟空氣壓縮機(jī)和真空泵，要求：供氣壓力大于0.4Mpa（表壓）,真空度高于-0.06Mpa。3．開(kāi)機(jī)正常工作時(shí)，先按“汞燈電源”紅色按鈕，啟輝汞燈...

WABASH平板硫化機(jī)的安裝操作規(guī)程，一定要好好學(xué)習(xí)WABASH平板硫化機(jī)為實(shí)現(xiàn)好的性能、偏差而設(shè)計(jì)，WABASH所有的壓力機(jī)具有用戶友好操作界面及z大可靠性。具備大型鋼板的壓力機(jī)同樣有超大臺(tái)面，使偏差z小化，這樣提高了部件的質(zhì)量。與柱塞式液壓缸并用，一體式液壓系統(tǒng)保證了快速的壓機(jī)閉合，慢速閉合段。當(dāng)考慮需要短的循環(huán)時(shí)間、高模壓及溫控時(shí)，這種配置是理想的復(fù)合材料壓成型應(yīng)用設(shè)備。WABASH平板硫化機(jī)的安全操作規(guī)程1、所有模具放入平板時(shí)必須居中，送取模具要帶好手套，防止?fàn)C傷。2...

NXQ8000系列掩膜曝光機(jī)可在多種領(lǐng)域中應(yīng)用NXQ8000系列掩膜曝光機(jī)全面滿足科學(xué)研究，工藝級(jí)生產(chǎn)等多領(lǐng)域的應(yīng)用。*采用非接觸式100%標(biāo)定系統(tǒng)，對(duì)晶圓和掩膜沒(méi)有傷害，大大提高間隙精度非接觸式掩膜對(duì)準(zhǔn)機(jī)maskaligner適合各種電子元器件，包括半導(dǎo)體，LED,LD,MEMS，傳感器等。NXQ8000系列掩膜曝光機(jī)主要是用于光刻膠曝光。光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠...

美國(guó)CARVER熱壓機(jī)的操作檢修和安裝調(diào)試安全規(guī)程美國(guó)CARVER熱壓機(jī)的操作檢修安全規(guī)程1、美國(guó)CARVER熱壓機(jī)操作人員上機(jī)前必須進(jìn)行崗前培訓(xùn)，熟悉壓機(jī)性能后，方可操作熱壓機(jī)2、美國(guó)CARVER熱壓機(jī)操作和檢修時(shí)，必須時(shí)刻注意安全，嚴(yán)禁在沒(méi)有安全保護(hù)情況下把手等異物放入熱壓機(jī)內(nèi)。3、嚴(yán)禁熱壓機(jī)帶病工作，運(yùn)行時(shí)發(fā)現(xiàn)故障要及時(shí)排除后，方可繼續(xù)使用。4、板件要放置在壓機(jī)油缸中間位置，嚴(yán)禁偏壓。如板件沒(méi)有放滿有效工作臺(tái)面，要用同厚度的板件墊滿，禁止懸空壓。5、經(jīng)常檢查液壓站、缸體...

德國(guó)Diener等離子清洗機(jī)等離子刻蝕物的處理一、德國(guó)Diener等離子清洗機(jī)金屬表面去油污并清洗金屬表面常常會(huì)有油脂、油污等有機(jī)物及氧化層，在進(jìn)行濺射、油漆、粘合、鍵合、焊接、銅焊和PVD、CVD涂覆前，需要用等離子處理來(lái)得到*潔凈和無(wú)氧化層的表面。在這種情況下的等離子處理會(huì)產(chǎn)生以下效果：1.1灰化表面有機(jī)層表面會(huì)受到物理轟擊和化學(xué)處理（氧下圖）在真空和瞬時(shí)高溫狀態(tài)下，污染物部分蒸發(fā)污染物在高能量離子的沖擊下被擊碎并被真空泵抽出紫外輻射破壞污染物因?yàn)榈入x子處理每秒只能穿透幾...

不斷的突破Nanonex納米壓印光刻機(jī)的新技術(shù)Nanonex納米壓印光刻機(jī)工作原理和組成Nanonex納米壓印光刻機(jī)通過(guò)一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過(guò)畫(huà)著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，不同光刻機(jī)的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖（即芯片）。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過(guò)一次光刻的芯片可以繼續(xù)涂膠...

促進(jìn)MicroChem光刻膠研究開(kāi)發(fā)和應(yīng)用MicroChem光刻膠是芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料，芯片制造要根據(jù)具體的版圖（物理設(shè)計(jì)，layout）設(shè)計(jì)出掩模板，然后通過(guò)光刻（光線通過(guò)掩模板，利用光刻膠對(duì)裸片襯底等產(chǎn)生影響）形成一層層的結(jié)構(gòu)，后形成3D立體電路結(jié)構(gòu)，從而產(chǎn)生Die（裸片）。工藝的發(fā)展，光刻機(jī)的發(fā)展，材料學(xué)的同步發(fā)展才能促進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。MicroChem光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進(jìn)了光刻...