等離子去膠機進行去膠操作十分的簡單，并且效率高，去膠后的表面干凈光潔、沒有任何的劃痕、成本低、環保。電介質等離子體去膠機在進行刻蝕時，一般會被應用在電容耦合等離子體平行板反應器上，在平行板反應器中，反應離子刻蝕腔體所采用的是陰極面積小，陽極面積大的不對稱設計，而需要被刻蝕的物件則是被放置到面積較小的電極之上。

　　在進行刻蝕操作時，其射頻電源所產生的熱運動會使質量小、運動速度快的帶負電自由電子很快到達陰極，而正離子則是由于質量大、速度慢而很難在同一時刻達到陰極，從而就會在陰極附近形成帶負電的鞘層，正離子在這個鞘層的加速之下，就會垂直的轟擊在硅片的表面，從而使得表面的化學反應加快，并且會使得反應生成物脫離，因此其刻蝕速度極快，離子的轟擊也會使各向異性刻蝕得以實現。

　　等離子去膠操作方法：將待去膠片插入石英舟并平行氣流方向，推入真空室兩電極間，抽真空到1.3Pa，通入恰當氧氣，堅持真空室壓力在1.3-13Pa，加高頻功率，在電極間發生淡紫色輝光放電，經過調理功率、流量等技術參數，可得不一樣去膠速率，當膠膜去凈時，輝光不見。

　　等離子去膠機去膠影響要素：

　　1.頻率挑選：頻率越高，氧越易電離構成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。

　　2.功率影響：關于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到必定值，反響所能耗費的活性離子到達飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據技術需求調理功率。

　　3.真空度的挑選：恰當進步真空度，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場取得的能量就大，有利電離。別的當氧氣流量必守時，真空度越高，則氧的相對份額就大，發生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。

　　以上便是今天關于等離子去膠機進行刻蝕操作時有哪些表現的全部分享了，希望對大家今后使用本設備能有幫助。